第83章 现在就拆给你看!

光刻作为芯片制造流程中最关键的环节,其基本原理其实很简单,就是用光,来完成对硅片的雕刻。

光刻中的硅片,就像是挂在墙上的投影布,而光刻机则是投影仪,

如果投影布表面不平整,出现起伏,那投影的画面自然就会扭曲变形。

在光刻中,硅片的表面瑕疵,则会导致投影上去的电路设计路变形,从而导致良率降低,甚至整张晶圆报废。

所以想要得到一张能用来制造芯片的硅片,则需要把切割后的单晶硅片进行抛光打磨,直至它的表面平整度低于1.5nmRMS。

这相当于在电影院挂上一块大幕布,它的表面起伏不能超过一根头发丝大小,无限接近于完美的镜面。

因此,这对硅片制造抛光工艺要求,自然就显得极其重要了。

从圆珠笔头上的小钢珠,到芯片的原材料硅片,再到光刻机上的镜片,最后甚至是科幻三体中表面完美无暇的水滴……

其实考验一个文明工业水平高度的,就是看你能把一个物品造得有多精细。

而造精细的东西,自然就需要空气干净的洁净室,不然空气中全是灰尘细菌,再怎么打磨造不出合格的硅片。

“其实这些年我们通过仿制岛国的设备,已经可以达到2.6nmRMS的平整度了,但无论我们再怎么检查,哪怕每一个零件都已经达标了,但依然没办法继续突破……”

严辉穿一边穿着防护服,一边向康驰介绍着他们的研究进度。

“抛到2.6nmRMS用的是什么抛光液?”

“以SiO2为基础,加入0-70wt%的双氧水,最后用KOH调节pH到8.5。”

康驰点了点头:“先看看再说吧。”

两人穿好防护服后,很快就来到了抛光实验室,然后由严辉主持,向康驰演示了一次抛光实验。

在传统的硅片抛光打磨中,通常会先用机械抛光机,对硅片进行初步打磨,再清洗,最后进行化学机械抛光,也称为精磨。

精磨是一种利用抛光液的化学腐蚀功能,配合机械转盘的机械打磨,两者互相配合来达到硅片的工艺标准。

实验的结果是3.1nmRMS,比他们能做的极限还差不少。

康驰沉思了片刻,然后说道:“换成30wt%Al2O3基液,加65wt%高锰酸钾作为化学抛光液,用5wt%HNO3调成8.0的PH值再试一遍。”

严辉点了点头,带着研究员们调配好抛光液,然后重新进行了一次实验。

“平整度5.9nmRMS。”

看到这个结果,原本还有点小期待的严辉,不由露出一抹失望的神色。

但康驰却依然不为所动,又报出了一组抛光液配比,让他们重新进行第三次实验。

“平整度5.9nmRMS。”

5.9?

还是5.9?!