第423章 惨死的假千金(苏喆衍)

我的快穿旅程 妍珏 1760 字 7个月前

“菜当然想,但这次有正事找你。” 白蒹把项目困境跟妹妹说明,“我们项目需要 3nm 级别的专用芯片,你团队研发的光刻机,能不能支持这种定制芯片的生产?要是可以,我们说不定能促成学校和你们团队的合作。”

白梦瑶一听也来了兴趣,国防科大的项目涉及军工应用,对技术要求极高,刚好能检验 3nm 光刻机的实战性能。“我得跟吴教授商量下,但初步看没问题。对了,你们项目负责芯片对接的是谁呀?”

“是我们系的苏喆衍学长,他比我高一届,现在是项目核心成员,不光精通芯片设计,还在量子通信领域拿过国家奖项,特别厉害。” 白蒹提起苏喆衍,满是敬佩。

他接着说:“要是合作成了,我介绍你们认识,你们俩都是搞高精尖技术的,肯定有共同话题。”

一周后,合作意向正式敲定。

白梦瑶跟着吴教授去国防科大开会,白蒹特意等白梦瑶出来后带她去国防科大的科研楼,到那里的时候,走廊尽头的实验室里,苏喆衍正对着投影屏上的芯片电路图皱眉。

屏幕上标注的 “2.8nm 线宽误差” 红线,始终卡在合格线边缘。听到脚步声,他回头看来,眼神专注却不锐利,带着科研人特有的温和。

“喆衍学长,这是我妹妹白梦瑶,3nm 光刻机研发的核心成员。” 白蒹快步上前,自然地打破沉默,“梦瑶,这位就是我们项目负责芯片设计的苏喆衍学长,他设计的量子通信芯片,去年还拿了军队科技进步奖。”

长相英俊的苏喆衍站起来居然有1.8米的身高,他朝着白梦瑶伸出手,掌心干燥温暖,两人象征性地握了一下手。

就递来的芯片设计图,上面密密麻麻的标注透着严谨:“白同学,久闻你的 3nm 光刻技术突破。我们需要的这款军工芯片,不仅要控制 2.8nm 线宽,还得在边缘电路加抗干扰屏蔽层,你们的光刻机在异形结构光刻上,精度能达标吗?”

白梦瑶接过图纸,看了一下,视线落在屏蔽层标注处,语速平稳却精准:“抗干扰屏蔽层可以用分步光刻 + 金属沉积工艺实现,线宽误差我们能压到 2.5nm 以内,不过需要你们提供芯片的三维电磁场模拟数据,避免光刻时磁场干扰光源稳定性。”

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她的回答没有多余铺垫,直接切中技术核心,让苏喆衍眼中闪过一丝认可。

他转身点开电脑里的模拟文件:“数据我已经整理好了,你看这个频段的磁场分布,会不会影响你们的 EUV 光源?”

两人凑在屏幕前,一个指着磁场峰值区域分析影响,一个拿着笔在图纸上标注光刻调整方案,连白蒹都插不上话。

直到学校的放学下课铃响了,苏喆衍才回过神,看向白梦瑶的目光多了几分欣赏:“没想到你对军工芯片的特殊需求这么了解,我们之前对接过的几家团队,都没考虑到磁场干扰的问题。”

白梦瑶笑着收起图纸:“刚好在光刻机研发时做过类似的抗干扰测试。后续有技术问题,我们可以随时沟通。”